GaNパワーデバイス（窒化ガリウムパワーデバイス）とは

GaNパワーデバイス（窒化ガリウムパワーデバイス）は、次世代のパワーエレクトロニクスで注目されている半導体デバイスです。従来のシリコン（Si）に比べて、高耐圧・高周波・高効率な特性を持ち、電力損失の低減や小型化、高速スイッチングを可能にします。これにより、電源装置、充電器、電気自動車、5G通信機器など多くの分野で活用が広がっています。特に高周波スイッチングに優れているため、エネルギー効率の向上や装置の小型軽量化に貢献しています。

※一部商社などの取扱い企業も含みます。