IGBTとは

IGBTは絶縁ゲートバイポーラトランジスタの略です。 IGBTの頭文字は「Insulated Gate Bipolar Transistor」であり、MOSFETにP型半導体を加えたPNP型バイポーラトランジスタの構造です。 つまり等価回路は、入力部にNチャネルMOSFET、出力部にPNP型バイポーラトランジスタを備えた複合トランジスタ回路構成と考えることができます。 一方、バイポーラトランジスタのベースにMOSFETを持った構造とも言えるため、小さな電流で非常に大きな出力電流を生成できるのが特徴です。 ベースとなっているMOSFETよりも耐圧が高く、損失が少ない高性能半導体です。 発熱も少ないというメリットもあります。 IGBTは1980年代に日本で開発された半導体で、当時の構造はパンチスルー型と呼ばれていました。 近年、ウエハプロセスの進歩によりさらなる微細化、低コスト化が進み、非パンチスルー構造やフィールドストップ型のIGBTデバイスが製造されています。

※一部商社などの取扱い企業も含みます。