IGBTモジュールとは

IGBT モジュールは、複数の IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) を 1 つのモジュールに統合した高度に統合されたモジュールです。 IGBTは、従来使われていたベース電流制御型バイポーラトランジスタと、デバイス構造やプロセスを工夫することで弱点を改善したゲート電圧制御型電界効果トランジスタ（FET）の長所を組み合わせ、昭和後期に日本で発明されました。 当初は絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと呼ばれていましたが、後に「Insulated Gate Bipolar Transistor」の頭文字をとってIGBTと呼ばれるようになりました。

※一部商社などの取扱い企業も含みます。