โมดูล IGBTคืออะไร?

โมดูล IGBT เป็นโมดูลที่มีการผสานรวมสูงซึ่งรวม IGBT หลายตัว (ทรานซิสเตอร์สองขั้วแบบเกทฉนวน) ไว้ในโมดูลเดียว IGBT ถูกประดิษฐ์ขึ้นในญี่ปุ่นในช่วงปลายยุคโชวะโดยการรวมข้อดีของทรานซิสเตอร์สองขั้วชนิดควบคุมกระแสฐานที่ใช้กันทั่วไปและทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟ็กต์ชนิดควบคุมแรงดันไฟฟ้าเกต (FET) ซึ่งปรับปรุงจุดอ่อนโดยการออกแบบโครงสร้างและกระบวนการของอุปกรณ์ ในขั้นต้นเรียกว่าทรานซิสเตอร์สองขั้วชนิดเกทฉนวนและต่อมาเรียกว่า IGBT โดยมีชื่อย่อว่า "ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตฉนวน"

รวมข้อมูลเกี่ยวกับบริษัทการค้า