SICダイオードとは

SICダイオードは、シリコン(Si)と炭素(C)から構成される化合物半導体の基本素子の1つです。 SICはSi（シリコン）に比べて約10倍の絶縁破壊強度、約3倍のバンドギャップを有しており、電気回路素子の小型化、高耐圧化が可能です。 この特性を活かして、SICを用いたパワー半導体の開発が進められています。 SICダイオードはSICパワー半導体の代表例です。 ディスクリート（単体）品として製造され、モジュールに組み込まれてインバータ、コンバータ、IGBTなどに使用されます。特にSICショットキーバリアダイオードは、順方向電圧を低減しながら小型、高耐圧、高効率のスイッチング素子を実現できることから、近年注目を集めている高性能ダイオードです。

※一部商社などの取扱い企業も含みます。